集成電路制造工藝

芯片廠中通常分為擴(kuò)散區(qū)、光刻區(qū)、刻蝕區(qū)、離子注入?yún)^(qū)、薄膜生長區(qū)和拋光區(qū)6個生產(chǎn)區(qū)域：

?擴(kuò)散區(qū)是進(jìn)行高溫工藝及薄膜積淀的區(qū)域，主要設(shè)備是高溫爐和濕法清洗設(shè)備；

②光刻區(qū)是芯片制造的心臟區(qū)域，使用黃色熒光管照明，目的是將電路圖形轉(zhuǎn)移到覆蓋于硅片表面的光刻膠上；  

③刻蝕工藝是在硅片上沒有光刻膠保護(hù)的地方留下的圖形；

④離子注入是用高壓和磁場來控制和加速帶著要摻雜的雜質(zhì)的氣體；高能雜質(zhì)離子穿透涂膠硅片的表面，形成目標(biāo)硅片；

⑤薄膜生長主要負(fù)責(zé)生產(chǎn)各個步驟中的介質(zhì)層與金屬層的淀積。

⑥拋光，即CMP（化學(xué)機(jī)械平坦化）工藝的目的是使硅片表面平坦化。